 |
 Железо - Toshiba готова к выпуску флеш-памяти NAND по 19-нанометровой технологии |
Дата: 21 апреля 2011 |  |
| 1338 просмотров | 0 комментариев | Напечатать | Автор: Freeedom | ||
 Неделю назад компании Intel и Micron сообщили о разработке 20-нанометровой технологии производства микросхем флеш-памяти NAND, выполненных по методике многоуровневых ячеек (MLC). А сегодня Toshiba отрапортовала о новых достижениях: корпорация готова к выпуску NAND-памяти с применением 19-нанометровой технологии. До конца месяца Toshiba намерена начать пробные поставки микросхем ёмкостью 8 Гб с двухбитовыми ячейками. Шестнадцать таких чипов, упакованных в одном корпусе, позволят создавать флеш-накопители на 128 Гб для смартфонов, планшетных компьютеров и прочих гаджетов. Массовое производство флеш-памяти по 19-нанометровой технологии Toshiba запланировала на третий квартал текущего года. Кроме того, в корпорации ведётся разработка микросхем с трёхбитовыми ячейками. Сообщается также, что в мае–июне Toshiba будет вынуждена сократить объём производства NAND-памяти на 50 процентов. Причина — нехватка кремниевых подложек и других материалов, связанная с землетрясениями и цунами в Японии. 
+1
Полезно знать: Проблема с файлами не хватает / удалили / вирус / другое Как качать эти ссылки? Проблема с архивом |
|||
Похожие новости: {related-news} |
|||
 |
 |
||
Комментарии (0)
 |
 Информация |
|
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости. |
